机译:siC和si \ u3csub \ u3e3 \ u3c / sub \ u3eN \ u3csub \ u3e4 \ u3c / sub \ u3e由于siO \ u3csub \ u3e2 \ u3c / sub \ u3e在燃烧器条件下的氧化皮挥发
机译:在燃烧室条件下,由于SiO2氧化皮的挥发而导致SiC和Si3N4衰退
机译:热力学/动力学组合建模方法预测燃烧环境下SiO2比例挥发引起的SiC衰退
机译:SiO_ 2尺度波动和高压燃烧器中CVD SiC的衰退
机译:TPD研究CH \ u3csub \ u3e3 \ u3c / sub \ u3eCH \ u3csub \ u3e2 \ u3c / sub \ u3eSH和(CH \ u3csub \ u3e3 \ u3c / sub \ u3eCH \ u3csub \ u3e2 \ u3c / sub \ u3eSH )\ u3csub \ u3e2 \ u3c / sub \ u3eS \ u3csub \ u3e2 \ u3c / sub \ u3e在ZnO(0001)和ZnO上
机译:燃烧器条件下siO2尺度波动引起的siC和si3N4退火